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化学气相沉积设备

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EPEE i200 等离子体增强化学气相沉积系统EPEE i200 PECVD SystemEPEE i200系列主要用于6/8英寸氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷

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更新时间:2024-05-07
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EPEE i200 等离子体增强化学气相沉积系统
EPEE i200 PECVD System

EPEE i200系列主要用于6/8英寸氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等薄膜沉积工艺,平台式多反应腔架构,兼容Si、SiC、GaAs等不同衬底材料,广泛应用于集成电路、化合物半导体、功率半导体、半导体照明、硅基微型显示、科研等领域。


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